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MR4A16BCYS35R

Name: Everspin Technologies MR4A16BCYS35R
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A16BCYS35R
Price: 444.7 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

936-MR4A16BCYS35R

製造商編號：

MR4A16BCYS35R

製造商：

Everspin Technologies

說明：

MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM

規格書:

MR4A16BCYS35R 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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包裝:

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MouseReel™ (+HK$55.00)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$444.70	HK$444.70
	HK$410.75	HK$4,107.50
	HK$397.60	HK$9,940.00
	HK$397.52	HK$19,876.00
完整捲（訂購多個1000）
	HK$364.80	HK$364,800.00

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備用包裝

製造商元件編號:

MR4A16BCYS35

包裝:

Tray

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$463.11

最小值:

相似產品

製造商：

Everspin Technologies

製造商編號：

MR4A16BCYS35

說明：

MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Everspin Technologies
產品類型:	MRAM
RoHS:
封裝/外殼:	TSOP-II-54
接口類型:	Parallel
存儲容量:	16 Mbit
組織:	1 M x 16
數據匯流排寬度:	16 bit
存取時間:	35 ns
電源電壓 - 最小值:	3 V
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
運作供電電流:	60 mA, 152 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	MR4A16B
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Everspin Technologies
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
Pd - 功率消耗 :	600 mW
產品類型:	MRAM
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	Parallel I/O (x16)

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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

MR4A16BCYS35R 規格書 (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8471600499
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.