MR25H128ACDFR

Name: Everspin Technologies MR25H128ACDFR
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128ACDFR
Price: 39.05 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

936-MR25H128ACDFR

製造商編號：

MR25H128ACDFR

製造商：

Everspin Technologies

說明：

MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

規格書:

MR25H128ACDFR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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備用包裝

製造商元件編號:

MR25H128ACDF

包裝:

Tray

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$46.03

最小值:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Everspin Technologies
產品類型:	MRAM
RoHS:
封裝/外殼:	DFN-8
接口類型:	SPI
存儲容量:	128 kbit
組織:	16 k x 8
數據匯流排寬度:	8 bit
電源電壓 - 最小值:	2.7 V
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
運作供電電流:	6 mA, 23 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	MR25H128A
封裝:	Reel
品牌:	Everspin Technologies
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
Pd - 功率消耗 :	600 mW
產品類型:	MRAM
原廠包裝數量:	4000
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	Serial I/O (SPI)

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所選屬性: 0

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規格書

MR25H128ACDFR 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.