IXSH40N65L2KHV

IXYS
747-IXSH40N65L2KHV
IXSH40N65L2KHV

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 550

庫存:
550 可立即送貨
工廠前置作業時間:
27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$61.73 HK$61.73
HK$43.57 HK$435.70
HK$36.33 HK$3,633.00
HK$32.30 HK$14,535.00
HK$28.77 HK$25,893.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
43 A
78 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
174 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 9 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 12.7 ns
系列: IXSxNxL2Kx
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 22.6 ns
標準開啟延遲時間: 5.3 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).