IXSH100N65L2KHV

IXYS
747-IXSH100N65L2KHV
IXSH100N65L2KHV

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 550

庫存：
550 可立即送貨
工廠前置作業時間：
27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$93.13 HK$93.13
HK$71.51 HK$715.10
HK$52.03 HK$5,203.00
HK$51.95 HK$23,377.50
HK$43.32 HK$38,988.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
33 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
454 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 11.7 ns
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 26.5 ns
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 23.2 ns
標準開啟延遲時間: 12.9 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

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