IXSA65N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA65N120L2-7TR
Price: 82.28 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

747-IXSA65N120L2-7TR

製造商編號：

IXSA65N120L2-7TR

製造商：

IXYS

說明：

碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IXSA65N120L2-7TR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於IXYS IXSA65N120L2-7TR的資訊

庫存量: 78

庫存：: 78

可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
在途量:: 800

預期2/6/2026
工廠前置作業時間：: 27

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個800）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$82.28	HK$82.28
	HK$60.83	HK$608.30
	HK$45.21	HK$4,521.00
	HK$36.91	HK$18,455.00
完整捲（訂購多個800）
	HK$36.83	HK$29,464.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7L
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	65 A
Rds On - 漏-源電阻:	53 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.5 V
Qg - 閘極充電:	110 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	417 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	IXYS
配置:	Single
下降時間:	11.6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	19.6 ns
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	20.8 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXSA65N120L2-7TR 規格書 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).