IXSA110N65L2-7TR

IXYS
747-IXSA110N65L2-7TR
IXSA110N65L2-7TR

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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包裝:
完整捲（訂購多個800）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$91.41 HK$91.41
HK$69.79 HK$697.90
HK$58.20 HK$5,820.00
HK$50.80 HK$25,400.00
完整捲（訂購多個800）
HK$42.33 HK$33,864.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7L
N-Channel
1 Channel
650 V
111 A
33 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
600 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 11.5 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 23.4 ns
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 35.1 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
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所選屬性: 0

規格書

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

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