IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

ISSI
870-VQ16M4DBLL200BLI
IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

製造商：

說明：
DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

壽命週期:
新產品:
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ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$36.74 HK$36.74

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
200 MHz
TFBGA-24
2.7 V
3.6 V
品牌: ISSI
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
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所選屬性: 0

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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