IS66WVE2M16EBLL-70BLI

ISSI
870-66E2M16EBLL70BLI
IS66WVE2M16EBLL-70BLI

製造商：

說明：
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
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總價
HK$39.05 HK$39.05

備用包裝

製造商 元件編號:
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR
包裝:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供貨情況:
庫存量
價格:
HK$37.89
最小值:
1

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
品牌: ISSI
存儲類型: SDR
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WVE2M16EBLL
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
類型: Asynchronous
每件重量: 86 mg
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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