IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-70TLI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-651216EBLL70TLIT
Price: 27.78 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

870-651216EBLL70TLIT

製造商編號：

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

製造商：

ISSI

說明：

SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

規格書:

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR 規格書 (PDF)

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製造商元件編號:

IS66WV51216EBLL-70TLI

包裝:

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價格:

HK$28.44

最小值:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ISSI
產品類型:	SRAM
RoHS:
存儲容量:	8 Mbit
組織:	512 k x 16
存取時間:	70 ns
接口類型:	Parallel
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
電源電壓 - 最小值:	2.5 V
電源電流 - 最大值:	28 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSOP-44
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	ISSI
存儲類型:	SDR
濕度敏感:	Yes
產品類型:	SRAM
系列:	IS66WV51216EBLL
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Memory & Data Storage
類型:	Asynchronous

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規格書

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
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TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.