IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 667.71 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IMYH200R012M1HXK

製造商編號：

IMYH200R012M1HXKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

規格書:

IMYH200R012M1HXKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$667.71	HK$667.71
	HK$555.43	HK$5,554.30
	HK$496.57	HK$49,657.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	2 kV
Id - C連續漏極電流:	123 A
Rds On - 漏-源電阻:	16.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	246 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	552 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSIC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	24 ns
互導 - 最小值:	30 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	13 ns
原廠包裝數量:	240
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	16 ns
零件號別名:	IMYH200R012M1H SP005427368

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所選屬性: 0

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規格書

IMYH200R012M1HXKSA1 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.