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IMBG65R030M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R030M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R030M1HXTM
Price: 95.19 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IMBG65R030M1HXTM

製造商編號：

IMBG65R030M1HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

規格書:

IMBG65R030M1HXTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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HK$-.--

總價:

HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個1000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$95.19	HK$95.19
	HK$64.53	HK$645.30
	HK$56.14	HK$5,614.00
	HK$56.06	HK$28,030.00
完整捲（訂購多個1000）
	HK$45.79	HK$45,790.00
	HK$44.80	HK$89,600.00
10,000	報價

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	63 A
Rds On - 漏-源電阻:	42 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.7 V
Qg - 閘極充電:	49 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	234 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
系列:	CoolSiC 650V
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
零件號別名:	IMBG65R030M1H SP005539165

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IMBG65R030M1HXTMA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.