GS66504B-TR

499-GS66504B-TR
GS66504B-TR

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS

壽命週期:
壽命結束:
計劃停產且製造商將停止供貨。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 1,206

庫存：
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$120.34 HK$120.34
HK$89.84 HK$898.40
HK$77.68 HK$7,768.00
HK$73.57 HK$36,785.00
HK$73.49 HK$73,490.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$62.39 HK$187,170.00
9,000 報價
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商 元件編號:
GS66504B-MR
包裝:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供貨情況:
庫存量
價格:
HK$120.26
最小值:
1

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
130 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
GaNPX
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
最大工作頻率: 10 MHz
最低工作頻率: 0 Hz
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: GaN FETs
系列: GS665xx
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: E-Mode
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

EOL

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX®  small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.

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