GS66504B-MR

Name: Infineon GS66504B-MR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66504B-MR
Price: 120.26 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

499-GS66504B-MR

製造商編號：

GS66504B-MR

製造商：

Infineon Technologies

說明：

氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

GS66504B-MR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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HK$-.--

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包裝:

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$120.26	HK$120.26
	HK$89.76	HK$897.60
	HK$77.60	HK$7,760.00
完整捲（訂購多個250）
	HK$77.60	HK$19,400.00
	HK$73.49	HK$36,745.00
	HK$62.39	HK$62,390.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

GS66504B-TR

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$120.34

最小值:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	GaNpx
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	15 A
Rds On - 漏-源電阻:	130 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.1 V
Qg - 閘極充電:	3.3 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	GaNPX
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
開發套件:	GS665MB-EVB, GS-EVB-ACDC-300W-ON
最大工作頻率:	10 MHz
最低工作頻率:	0 Hz
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
系列:	GS665xx
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
技術:	GaN-on-Si
晶體管類型:	E-Mode
零件號別名:	GS66504B-E01-MR
每件重量:	14.594 g

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所選屬性: 0

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規格書

GS66504B-MR 規格書 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-7-22 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.