GE10MPS06Q-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE10MPS06Q-TR
GE10MPS06Q-TR

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

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規格書:
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數量 單價
總價
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完整捲（訂購多個3000）
HK$13.56 HK$40,680.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Navitas Semiconductor
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-8
Single
10 A
650 V
1.25 V
55 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
品牌: GeneSiC Semiconductor
Pd - 功率消耗 : 191 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 3000
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

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