GE08MPS06Q-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE08MPS06Q-TR
GE08MPS06Q-TR

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q-TR的資訊

庫存量: 3,000

庫存：
3,000 可立即送貨
工廠前置作業時間：
16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$11.92 HK$11.92
完整捲（訂購多個3000）
HK$11.92 HK$35,760.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Navitas Semiconductor
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-8
Single
8 A
650 V
1.25 V
44 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
品牌: GeneSiC Semiconductor
Pd - 功率消耗 : 161 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 3000
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。