GCMX003A120S3B1-N

SemiQ
148-GCMX003A120S3B1N
GCMX003A120S3B1-N

製造商:

說明:
MOSFET模組 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

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HK$1,826.98 HK$18,269.80
105 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
S3
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
625 A
5.5 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
2.113 kW
GCMX
Bulk
品牌: SemiQ
下降時間: 28 ns
高度: 30 mm
長度: 106.4 mm
產品: Modules
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 21 n
原廠包裝數量: 15
子類別: Discrete and Power Modules
類型: Half Bidge Module
標準斷開延遲時間: 138 ns
標準開啟延遲時間: 79 ns
Vf - 順向電壓: 4 V
寬度: 61.4 mm
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所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模組

SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET半橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻,並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片(隔離封裝)並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試,可承受1350V以上的電壓。這些模組的突出特點是穩健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模組的工作結溫為175°C,並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統和高壓DC-DC轉換器。