GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 312.36 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

148-GCMS020B120S1-E1

製造商編號：

GCMS020B120S1-E1

製造商：

SemiQ

說明：

離散半導體模組 SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GCMS020B120S1-E1 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$312.36	HK$312.36
	HK$232.38	HK$2,323.80
	HK$208.62	HK$25,034.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	離散半導體模組
RoHS:
產品:	MOSFET-SiC SBD Modules
類型:	Silicon Carbide (SiC) Module
技術:	SiC
Vf - 順向電壓:	1.49 V
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 10 V
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	GCMS
封裝:	Tube
品牌:	SemiQ
配置:	Single
下降時間:	25 ns
Id - C連續漏極電流:	113 A
Pd - 功率消耗 :	395 W
產品類型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻:	28 mOhms
上升時間:	8 ns
原廠包裝數量:	30
子類別:	Discrete Semiconductor Modules
晶體管極性:	N-Channel
標準斷開延遲時間:	46 ns
標準開啟延遲時間:	25 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V

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所選屬性: 0

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規格書

GCMS020B120S1-E1 規格書 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.