FGY4L75T120SWD

onsemi
863-FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD

製造商：

說明：
IGBT 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L

壽命週期:
Mouser新產品
規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$84.83 HK$84.83
HK$50.88 HK$508.80
HK$45.70 HK$5,484.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.37 V
20 V
150 A
652 W
- 55 C
+ 175 C
FGY4L75T120SWD
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 75 A
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBTs
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs

onsemi FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs use the novel field stop 7th generation IGBT technology and the Gen7 Diode in a TO-247 4−lead package. The onsemi FGY4LxxT120SWD offers the optimum performance with low switching and conduction losses for high−efficiency operations in various applications like solar inverter, UPS and ESS.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

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