FGY4L160T120SWD

onsemi
863-FGY4L160T120SWD
FGY4L160T120SWD

製造商：

說明：
IGBT 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L

壽命週期:
Mouser新產品
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 176

庫存：
176
可立即送貨
在途量:
240
預期10/4/2026
工廠前置作業時間：
8
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$123.96 HK$123.96
HK$76.04 HK$760.40
HK$73.82 HK$8,858.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
20 V
200 A
1.5 kW
- 55 C
+ 175 C
FGY4L160T120SWD
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 160 A
組裝國家: CN
擴散國: KR
原產國: CN
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBTs
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs

onsemi FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs use the novel field stop 7th generation IGBT technology and the Gen7 Diode in a TO-247 4−lead package. The onsemi FGY4LxxT120SWD offers the optimum performance with low switching and conduction losses for high−efficiency operations in various applications like solar inverter, UPS and ESS.

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