FFSP20120A

Name: onsemi FFSP20120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP20120A
Price: 104.89 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

512-FFSP20120A

製造商編號：

FFSP20120A

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽肖特基二極管 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode

規格書:

FFSP20120A 規格書

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-2
配置:	Single
If - 順向電流:	20 A
Vrrm - 重複反向電壓:	1.2 kV
Vf - 順向電壓:	1.45 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	135 A
Ir - 反向電流:	200 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	FFSP20120A
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
Pd - 功率消耗 :	340 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	50
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	EliteSiC
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
每件重量:	2.160 g

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規格書

FFSP20120A 規格書

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 大韓民國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

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與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

碳化矽蕭特基二極體

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