FDBL0240N100

onsemi
512-FDBL0240N100
FDBL0240N100

製造商：

說明：
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
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包裝:
完整捲（訂購多個2000）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$56.55 HK$56.55
HK$38.14 HK$381.40
HK$28.28 HK$2,828.00
HK$26.30 HK$26,300.00
完整捲（訂購多個2000）
HK$23.02 HK$46,040.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-LL8-8
N-Channel
1 Channel
100 V
210 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 17 ns
互導 - 最小值: 162 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 32 ns
系列: FDBL0240N100
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 44 ns
標準開啟延遲時間: 26 ns
每件重量: 850.050 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N溝道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N溝道PowerTrench® MOSFET採用Fairchild Semiconductor的先進PowerTrench®製程生產，通過特别定制以將導通電阻減至最低，同時亦能維持卓越的開關性能。Fairchild Semiconductor N溝道PowerTrench® MOSFET有多種不同的漏極到源極電壓規格，從30V至250V供選擇。

FDD10N20LZ及FDD7N25LZ是N溝道增強模式功率場效電晶體，使用Fairchild專有的平面條形DMOS技術製造。該先進技術經專門定制以使導通電阻減至最低，並供卓越的開關性能，且能承受在雪崩及變換模式中的高能源脈衝。這些設備最適用於高效能轉換模式電源供應器及主動式功率係數校正。

FDMC6296是在專為在負載點轉換器中具有卓越性能而設計、封裝於高熱效能的MicroFET中的單個N溝道MOSFET。本設備提供rDS(on)及閘極電荷之間最佳平衡，可有效作為「高側」控制開關或「低側」同步整流器。
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