DMWSH120H90SM3Q

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H90SM3Q
DMWSH120H90SM3Q

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$115.24 HK$115.24
HK$86.06 HK$860.60
HK$74.31 HK$8,917.20
HK$70.36 HK$35,883.60
HK$65.76 HK$67,075.20

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Diodes Incorporated
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
41 A
97.5 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.5 V
50.9 nC
- 55 C
+ 175 C
246 W
Enhancement
品牌: Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 7.1 ns
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 20 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Silicon Carbide Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 18 ns
標準開啟延遲時間: 10.1 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

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