DMWSH120H28SM4Q

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H28SM4Q
DMWSH120H28SM4Q

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$271.18 HK$271.18
HK$207.80 HK$2,078.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Diodes Incorporated
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 19 V
2.5 V
173.7 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
品牌: Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 12.52 ns
互導 - 最小值: 15 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 40.06 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 48 ns
標準開啟延遲時間: 23.83 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

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