CGHV40180F

MACOM
941-CGHV40180F
CGHV40180F

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 GaN HEMT

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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HK$3,341.68 HK$3,341.68
HK$2,900.43 HK$29,004.30

商品屬性 屬性值 選擇屬性
MACOM
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
Screw Mount
440223
N-Channel
125 V
18 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
150 W
品牌: MACOM
組裝國家: US
擴散國: Not Available
原產國: US
開發套件: CGHV40180F-TB1
增益: 20.3 dB
最大工作頻率: 1 GHz
最低工作頻率: 50 MHz
輸出功率: 180 W
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 25
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓: - 10 V, 2 V
每件重量: 25.676 g
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.

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