C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 60.09 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-C3M0160120K1

製造商編號：

C3M0160120K1

製造商：

Wolfspeed

說明：

碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

C3M0160120K1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$60.09	HK$60.09
	HK$44.88	HK$448.80
	HK$36.25	HK$4,350.00
	HK$32.22	HK$16,432.20
	HK$27.62	HK$28,172.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Wolfspeed
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4LP
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	17.9 A
Rds On - 漏-源電阻:	280 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.8 V
Qg - 閘極充電:	32 nC
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	103 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	Wolfspeed
配置:	Single
下降時間:	12 ns
互導 - 最小值:	4.6 S
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	9 ns
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	13 ns
標準開啟延遲時間:	8 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

C3M0160120K1 規格書 (PDF)

PCN

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-4纖薄1200V碳化矽功率MOSFET

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Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

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