BUK9K13-60RAX

Name: Nexperia BUK9K13-60RAX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9K13-60RAX
Price: 20.14 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

771-BUK9K13-60RAX

製造商編號：

BUK9K13-60RAX

製造商：

Nexperia

說明：

MOSFET SOT1205 2NCH 60V 40A

規格書:

BUK9K13-60RAX 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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HK$-.--

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$20.14	HK$20.14
	HK$12.82	HK$128.20
	HK$9.70	HK$485.00
	HK$8.71	HK$871.00
	HK$7.84	HK$3,920.00
完整捲（訂購多個1500）
	HK$6.05	HK$9,075.00
	HK$5.61	HK$16,830.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Nexperia
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-1205-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	40 A
Rds On - 漏-源電阻:	12.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.1 V
Qg - 閘極充電:	22.4 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	64 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Nexperia
下降時間:	21.8 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	22.1 ns
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	30.5 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns
零件號別名:	934662536115

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所選屬性: 0

篩選文檔:

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

用於重複性雪崩的ASFET

用於重複性雪崩的Nexperia ASFET提供40V_DS至60V_DS最高漏源電壓、16I_D至40I_D漏極電流及7.9Q_GD柵極漏極電荷。ASFET完全符合AEC-Q101的汽車標準，具有高健壯性、可靠性及LFPAK銅夾封裝技術。用於重複性雪崩的Nexperia ASFET理想適用於12V、24V及48V汽車系統、重複雪崩拓撲及引擎控制應用。

Automotive ASFETs

Nexperia Automotive ASFETs are Application-Specific MOSFETs optimized for specific use cases. As designers push the boundaries of application performance, it is increasingly crucial to understand how the MOSFET will be used in the application. In the past, a standard power switch with a given Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) would essentially work in any application. However, to address specific application requirements or functionality, optimizing a set of MOSFET parameters is increasingly necessary to match those requirements. For example, applications may require enhanced linear mode performance or repetitive avalanche functionality. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of Application-Specific MOSFETs.