BST70B2P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST70B2P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST70B2P4K01-VC
Price: 930.26 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BST70B2P4K01-VC

製造商編號：

BST70B2P4K01-VC

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET模組 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

BST70B2P4K01-VC 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET模組
技術:	SiC
通道數:	4 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	70 A
Rds On - 漏-源電阻:	25 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	385 W
封裝:	Bulk
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Quad
下降時間:	15 ns
產品:	Power Module
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	36 ns
原廠包裝數量:	60
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EcoSiC
標準斷開延遲時間:	153 ns
標準開啟延遲時間:	36 ns

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所選屬性: 0

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規格書

BST70B2P4K01-VC 規格書

Specification Sheets

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合規守則

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 泰國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

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