BSM600D12P4G103

ROHM Semiconductor
755-BSM600D12P4G103
BSM600D12P4G103

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 4

庫存：
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單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$9,662.86 HK$9,662.86

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
567 A
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 150 C
1.78 kW
Bulk
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降時間: 90 ns
長度: 152 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 110 ns
原廠包裝數量: 4
子類別: Discrete and Power Modules
類型: SiC Power Module
標準斷開延遲時間: 435 ns
標準開啟延遲時間: 135 ns
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
寬度: 62 mm
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所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

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