BSM300C12P3E201

ROHM Semiconductor
755-BSM300C12P3E201
BSM300C12P3E201

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於ROHM Semiconductor BSM300C12P3E201的資訊

庫存量: 4

庫存：
4 可立即送貨
工廠前置作業時間：
27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$5,141.36 HK$5,141.36
HK$5,140.38 HK$61,684.56

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
5.6 V
- 40 C
+ 150 C
1.36 kW
Bulk
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 40 ns
高度: 15.4 mm
If - 順向電流: 300 A
長度: 152 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 35 ns
原廠包裝數量: 4
子類別: Discrete and Power Modules
類型: SiC Power Module
標準斷開延遲時間: 155 ns
標準開啟延遲時間: 40 ns
Vf - 順向電壓: 1.6 V
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
寬度: 62 mm
每件重量: 615.801 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8504409190
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。