BSM250D17P2E004

Name: ROHM Semiconductor BSM250D17P2E004
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM250D17P2E004
Price: 8088.48 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BSM250D17P2E004

製造商編號：

BSM250D17P2E004

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET模組 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

規格書:

BSM250D17P2E004 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	Module
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.7 kV
Id - C連續漏極電流:	250 A
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.8 kW
系列:	BSMx
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降時間:	70 ns
高度:	15.4 mm
長度:	152 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	55 ns
原廠包裝數量:	4
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	SiC Power Module
標準斷開延遲時間:	195 ns
標準開啟延遲時間:	55 ns
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
寬度:	62 mm
每件重量:	431 g

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所選屬性: 0

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規格書

BSM250D17P2E004 規格書 (PDF)

Other

Specification Sheets

Test/Quality Data

Export Regulation (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541590080
JPHTS:: 854159000
TARIC:: 8541590000
MXHTS:: 8541500100
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.