BSM180C12P2E202

ROHM Semiconductor
755-BSM180C12P2E202
BSM180C12P2E202

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$4,995.46 HK$4,995.46
HK$4,931.67 HK$59,180.04

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
204 A
- 6 V, + 22 V
1.6 V
- 40 C
+ 150 C
1.36 kW
BSMx
Tray
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 32 ns
高度: 15.4 mm
If - 順向電流: 180 A
長度: 152 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 36 ns
原廠包裝數量: 4
子類別: Discrete and Power Modules
類型: SiC Power Module
標準斷開延遲時間: 139 ns
標準開啟延遲時間: 49 ns
Vf - 順向電壓: 1.6 V
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
寬度: 62 mm
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8504409190
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

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