BSM120D12P2C005

ROHM Semiconductor
755-BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005

製造商：

說明：
MOSFET模組 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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總價
HK$3,022.91 HK$3,022.91

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
134 A
- 6 V, + 22 V
2.3 V
- 40 C
+ 150 C
935 W
BSMx
Bulk
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降時間: 60 ns
高度: 21.1 mm
長度: 122 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 50 ns
原廠包裝數量: 12
子類別: Discrete and Power Modules
類型: SiC Power Module
標準斷開延遲時間: 170 ns
標準開啟延遲時間: 45 ns
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
寬度: 45.6 mm
每件重量: 279.413 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

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