AFGH4L25T120RW

onsemi
863-AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW

製造商:

說明:
IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L

壽命週期:
Mouser新產品
ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 444

庫存:
444 可立即送貨
工廠前置作業時間:
17 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$66.58 HK$66.58
HK$48.42 HK$484.20
HK$40.28 HK$4,833.60
HK$33.62 HK$17,146.20

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.37 V
20 V
50 A
416 W
- 55 C
+ 175 C
AFGH4L25T120RW
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 25 A
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBTs
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A IGBTs

onsemi AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) feature a robust and cost-effective Field Stop VII Trench construction. The onsemi AFGHxL25T provides superior performance in demanding switching applications. Low on-state voltage and minimal switching loss offer optimum hard and soft switching topology performance in automotive applications.