Bourns P6SMB-Q瞬態電壓抑制二極體
Bourns P6SMB-Q 瞬態電壓抑制二極體採用小巧的 DO-214AA (SMB) 尺寸封裝，理想適用於浪湧及ESD保護應用。P6SMB-Q二極體在-55℃至+150℃溫度範圍內提供6.8V至250V的擊穿電壓。單向裝置的典型快速回應時間小於1.0皮秒，雙向裝置從0V到最小擊穿電壓的速度小於5.0皮秒。
特點
- 表面貼片DO-214AA (SMB) 封裝
- 無鹵素、符合RoHS規定
- 符合AEC-Q101規定
- 單向或雙向
- MSL 1
- ESD分類3B (HBM)
應用
- 電力匯流排保護
- I/O介面保護
- 瞬態過電壓保護
- 電訊
- 電腦
- 工業電子產品
- 消費電子產品
規格
- 6.8V至250V擊穿電壓
- 600W功率消耗
- 3.5V正向電壓
- 溫度範圍：-55°C至+150°C
- 模制塑料外殼、UL94V-0
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Bourns TVS Diodes
Low capacitance devices that provide ESD, EFT, and surge protection.
發佈日期: 2020-11-16
| 更新日期: 2024-03-26