T2G4005528-FS

Qorvo
772-T2G4005528-FS
T2G4005528-FS

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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總價
HK$2,140.08 HK$214,008.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
NI-360
N-Channel
品牌: Qorvo
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: US
增益: 16 dB
最大工作頻率: 3.5 GHz
濕度敏感: Yes
輸出功率: 55 W
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
系列: T2G4005528
原廠包裝數量: 100
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: HEMT
類型: GaN SiC HEMT
零件號別名: T2G4005528 1099993
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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