似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

UF3SC065007K4S

Name: onsemi UF3SC065007K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065007K4S
Price: 601.38 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

431-UF3SC065007K4S

製造商編號：

UF3SC065007K4S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4

規格書:

UF3SC065007K4S 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi UF3SC065007K4S的資訊

庫存量: 255

庫存：: 255 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 31 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

數量超過255會受到最小訂單要求的限制。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$601.38	HK$601.38
	HK$466.57	HK$4,665.70
	HK$455.31	HK$54,637.20
1,020	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	120 A
Rds On - 漏-源電阻:	9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 12 V, + 12 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	6 V
Qg - 閘極充電:	214 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	789 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	SiC FET
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	14 ns
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	46 ns
系列:	UF3SC
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	72 ns
標準開啟延遲時間:	36 ns
每件重量:	6 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

UF3SC065007K4S 規格書

Models

UF3SC065007K4S SPICE (文字)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC高效能SiC FET

UnitedSiC UF3SC高效能SiC FET是首個具有RDS_(on)低於10M Ω的SiC FET裝置，可實現快速切換速度和更低的開關損耗。這基於一種獨特的「共源共柵」電路配置，並具有超低柵極電荷。「共源共柵」配置採用常開 (normally-on) SiC JFET，它與Si MOSFET共同封裝，以構建出常關 (normally-off) SiC FET裝置。UF3SC FET具有標準閘極驅動特性，允許「直接替換」Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結裝置。這些SiC FET包括低本質電容和卓越的反向恢復功能。UF3SC FET以-55°C至+175°C溫度範圍及-20V至+ 20V閘源電壓範圍運行。這些SiC FET理想適用於電動汽車充電、光伏逆變器、電機驅動器、開關模式電源、功率因素校正模組及感應加熱領域。