NXH80T120L3Q0S3TG

Name: onsemi NXH80T120L3Q0S3TG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH80T120L3Q0S3T
Price: 594.22 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NXH80T120L3Q0S3T

製造商編號：

NXH80T120L3Q0S3TG

製造商：

onsemi

說明：

IGBT 模組 PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)

規格書:

NXH80T120L3Q0S3TG 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$594.22	HK$594.22
	HK$472.07	HK$4,720.70
	HK$446.18	HK$53,541.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	IGBT 模組
RoHS:
產品:	IGBT Modules
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.2 kV
連續集電極電流在25 C:	75 A
柵射極漏電電流:	300 nA
Pd - 功率消耗 :	82 W
封裝/外殼:	Q0PACK
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
柵極發射機最大電壓:	20 V
安裝風格:	Press Fit
產品類型:	IGBT Modules
系列:	NXH80T120L3Q0
原廠包裝數量:	24
子類別:	IGBTs
技術:	Si

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH80T120L3Q0S3TG 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH80T120L3Q0功率整合模組(PIM)

onsemi NXH80T120L3Q0功率整合模組(PIM)包含T型中性點壓接(NPC)三級逆變器階段。此三級逆變器包括兩個80A/1200V半橋IGBT，具有40A/1200V半橋二極管。NXH80T120L3Q0功率整合模組提供兩個50A/600V中點鉗位(NPC) IGBT，兩個50A/600V NPC二極管。此PIM具有更低的導電損耗、開關損耗、低V_{CESAT的特點，}使設計人員能實現高效率和卓越的可靠性。NXH80T120L3Q0功率整合模組提供具有預應用−熱介面材料(TIM)的選項，無需預套用的TIM、可焊接引腳、壓合式引腳和熱敏電阻器的選項。這在開關條件下提供150°C最大運行結溫。NXH80T120L3Q0功率整合模組理想適用於太陽能逆變器和不間斷電源。