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NVMFS4C302NWFT1G

Name: onsemi NVMFS4C302NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C302NWFT1G
Price: 11.59 HKD
Availability: Discontinued

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請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NVMFS4C302NWFT1G

製造商編號：

NVMFS4C302NWFT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

NVMFS4C302NWFT1G 規格書

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

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HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個1500）
	HK$11.59	HK$17,385.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SO-8FL
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	241 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.15 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.3 V
Qg - 閘極充電:	82 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	115 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
品牌:	onsemi
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	9 ns
互導 - 最小值:	135 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	18 ns
系列:	NVMFS4C302N
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	54 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns
每件重量:	187 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVMFS4C302NWFT1G 規格書

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.