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NTH027N65S3F-F155

Name: onsemi NTH027N65S3F-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH027N65S3FF155
Price: 154.95 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTH027N65S3FF155

製造商編號：

NTH027N65S3F-F155

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM

規格書:

NTH027N65S3F-F155 規格書

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$154.95	HK$154.95
	HK$120.51	HK$1,205.10
	HK$115.98	HK$11,598.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	75 A
Rds On - 漏-源電阻:	23 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	259 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	595 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	SuperFET III
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	34 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	47 ns
系列:	NTH027N65S3F
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	131 ns
標準開啟延遲時間:	49 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

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規格書

NTH027N65S3F-F155 規格書

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

能源基礎架構解決方案

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