FFSB3065B-F085

onsemi
863-FFSB3065B-F085
FFSB3065B-F085

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V 30A SIC SBD G EN1.5

規格書:
ECAD模型:
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包裝:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$69.13 HK$69.13
HK$46.11 HK$461.10
HK$37.07 HK$3,707.00
HK$35.67 HK$17,835.00
完整捲（訂購多個800）
HK$34.61 HK$27,688.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
30 A
650 V
1.38 V
120 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSB3065B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: onsemi
Pd - 功率消耗 : 246 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 800
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 650 V
每件重量: 1.485 g
找到產品:
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V SiC肖特基二極體

安森美 (onsemi) 650 V SiC肖特基二極體為基於矽的裝置提供卓越的開關性能及更高的可靠性。這些SiC肖特基二極體無反向恢復電流，具有溫度獨立開關及卓越的熱性能。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。

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