FCP165N65S3

onsemi
863-FCP165N65S3
FCP165N65S3

製造商：

說明：
MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$38.47 HK$38.47
HK$21.13 HK$211.30
HK$19.15 HK$1,915.00
HK$17.02 HK$8,510.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
19 A
165 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
154 W
Enhancement
Tube
品牌: onsemi
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 13 ns
互導 - 最小值: 12 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 22 ns
系列: SuperFET3
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 53 ns
標準開啟延遲時間: 21 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET是高電壓超級結(SJ)N通道MOSFET，設計用於滿足電訊、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及太陽能產品的高功率密度、系統效率及出色的可靠性要求。這些裝置融合一流可靠性、低EMI、卓越效率及卓越的熱性能，使它們成為高性能應用的理想選擇。憑藉其性能特性， SuperFET III MOSFET提供的廣泛封裝選項可為產品設計師提供高度靈活性，特別是尺寸受限的設計。

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