SIEH4800EW-T1-GE3

Vishay
78-SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3

製造商:

說明:
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$49.07 HK$49.07
HK$34.11 HK$341.10
HK$24.66 HK$2,466.00
HK$24.50 HK$12,250.00
HK$19.97 HK$59,910.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
80 V
34 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
278 nC
- 55 C
+ 175 C
3.4 W
Enhancement
品牌: Vishay
下降時間: 30 ns
互導 - 最小值: 150 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 40 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 45 s
標準開啟延遲時間: 140 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. Housed in a compact PowerPAK® 8mm x 8mm bond wireless (BWL) package, the SiEH4800EW delivers an exceptionally low on-resistance of 0.00115Ω at a VGS of 10V, minimizing conduction losses and improving thermal performance. With a maximum continuous drain current of 260A and a low gate charge of 117nC, the Vishay / Siliconix MOSFET is optimized for fast switching and high-current handling, making it ideal for use in synchronous rectification, motor drives, and high-performance DC-DC converters. A rugged design and advanced trench technology ensure reliable operation in demanding environments.