SIDR140DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

規格書:
ECAD模型:
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包裝:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$27.13 HK$27.13
HK$17.59 HK$175.90
HK$12.91 HK$1,291.00
HK$10.85 HK$5,425.00
HK$10.28 HK$10,280.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$8.80 HK$26,400.00
HK$8.18 HK$73,620.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
670 uOhms
- 16 V, 20 V
1 V
170 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
下降時間: 9 ns
互導 - 最小值: 90 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 9 ns
系列: SIDR
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 46 ns
標準開啟延遲時間: 19 ns
每件重量: 750 mg
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TrenchFET®第四代頂側雙重散熱MOSFET

Vishay TrenchFET®第四代頂側雙重散熱MOSFET採用頂側散熱，提供更多導熱位置，採用PowerPAK® SO-8DC封裝。TrenchFET雙重散熱MOSFET提供了25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V不同汲極-源極崩潰電壓的版本。這些N通道MOSFET的作業溫度介於-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用於特定產品的應用，包括同步整流、DC/DC轉換、電源供應器、電池管理等等。

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