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VIT2080C-E3/4W

Name: Vishay VIT2080C-E3/4W
Brand: Vishay General Semiconductor
SKU: 625-VIT2080C-E3/4W
Price: 4.13 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

625-VIT2080C-E3/4W

製造商編號：

VIT2080C-E3/4W

製造商：

Vishay General Semiconductor

說明：

肖特基二極體及整流器 20A 80V Dual TrenchMOS

規格書:

VIT2080C-E3/4W 規格書

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$4.13	HK$33,040.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	肖特基二極體及整流器
RoHS:
產品:	Schottky Rectifiers
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-262AA
配置:	Dual Anode Common Cathode
技術:	Si
If - 順向電流:	20 A
Vrrm - 重複反向電壓:	80 V
Vf - 順向電壓:	670 mV
Ifsm - 順向浪湧電流:	100 A
Ir - 反向電流:	20 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
系列:	VxT2080x
封裝:	Tube
品牌:	Vishay General Semiconductor
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	Schottky Diodes & Rectifiers
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	TMBS
每件重量:	1.440 g

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規格書

VIT2080C-E3/4W 規格書

Application Notes

PCN

Product Change Notification 2024-10-01 (PDF)

Technical Resources

Packaging Information

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

80V/100V TMBS®溝道MOS肖特基整流器

Vishay Semiconductors VSSA210和VSSA310S 100V TMBS®溝道MOS勢壘Schottky整流器具有高電流密度（分別為2A及3A），並採用薄身表面黏著封裝。Vishay Semiconductors VxT1080、VxT2080及VxT3080 80V TMBS溝道MOSSchottky整流器能提供介乎10A至30A的廣闊電流額定值。這些Vishay Semiconductors 80V及100V溝道MOS勢壘Schottky整流器具有極低的正向壓降與優異的雪崩處理能力，故此當使用於切換模式電源(SMPS)及其他裝置時，能夠為續流二極體、AC至DC及DC至DC轉換器降低功率損耗並提升效率。
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eSMP® SMPA Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductors eSMP® SMPA Schottky Rectifiers are a patented Trench MOS Barrier Schottky (TMBS®) rectifiers that are available with seven voltage ratings from 45V to 200V and several different package options to serve a wide range of system requirements. TMBS offers several advantages over planar Schottky rectifiers. As operating voltage moves to 45V and above, planar Schottky rectifiers tend to lose their advantage of fast switching speeds and low forward voltage drop to a substantial degree. The Vishay General Semiconductors patented TMBS structure addresses this issue by diminishing minority carrier injections to the drift region, thus minimizing stored charges and improving switching speeds.

Vishay Semiconductors 80V/100V TMBS®溝道MOS肖特基整流器

Vishay Semiconductors VSSA210和VSSA310S 100V TMBS®溝道MOS勢壘肖特基整流器具有高電流密度（分別為2A及3A），並採用薄身表面黏著封裝。Vishay Semiconductors VxT1080、VxT2080及VxT3080 80V TMBS溝道MOS肖特基整流器能提供介乎10A至30A的廣闊電流額定值。這些Vishay Semiconductors 80V及100V溝道MOS勢壘肖特基整流器具有極低的正向壓降與優異的雪崩處理能力，故當使用於切換模式電源(SMPS)及其他裝置時，能夠為續流二極體、AC至DC及DC至DC轉換器降低功率損耗並提升效率。
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