似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

XPH6R30ANB,L1XHQ

Name: Toshiba XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPH6R30ANBL1XHQ
Price: 16.19 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

757-XPH6R30ANBL1XHQ

製造商編號：

XPH6R30ANB,L1XHQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

規格書:

XPH6R30ANB,L1XHQ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Toshiba XPH6R30ANB,L1XHQ的資訊

庫存量: 11,982

庫存：: 11,982 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 14 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個5000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$16.19	HK$16.19
	HK$10.36	HK$103.60
	HK$6.95	HK$695.00
	HK$5.52	HK$2,760.00
	HK$5.06	HK$5,060.00
	HK$4.82	HK$12,050.00
完整捲（訂購多個5000）
	HK$4.82	HK$24,100.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOP-Advance-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	45 A
Rds On - 漏-源電阻:	6.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	52 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	132 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	JP
下降時間:	16 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	16 ns
系列:	U-MOSVIII-H
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	65 ns
標準開啟延遲時間:	39 ns
每件重量:	360 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

篩選文檔:

規格書

XPH6R30ANB,L1XHQ 規格書 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.