TK7R2E15Q5,S1X

Toshiba
757-TK7R2E15Q5S1X
TK7R2E15Q5,S1X

製造商:

說明:
MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 350

庫存:
350 可立即送貨
工廠前置作業時間:
16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$30.83 HK$30.83
HK$17.92 HK$179.20
HK$16.36 HK$1,636.00
HK$14.47 HK$7,235.00
HK$13.81 HK$13,810.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
84 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 66 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 66 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 110 ns
標準開啟延遲時間: 96 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx矽N通道MOSFET

TKx矽N通道MOSFET提供U-MOSX-H和DTMOSVI型號,具備卓越的效能特性。這些MOSFET的設計具有快速的反向恢復時間,透過減少關斷和導通狀態之間的延遲,提高了高速開關應用中的效率。低漏-源導通電阻 [RDS(on)] 可將功耗降至最低,並改善了散熱管理,使其成為需要處理高電流且能耗低的應用中的理想選擇。