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TK16G60W5,RVQ

Name: Toshiba TK16G60W5,RVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16G60W5RVQ
Price: 34.03 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

757-TK16G60W5RVQ

製造商編號：

TK16G60W5,RVQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

規格書:

TK16G60W5,RVQ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$34.03	HK$34.03
	HK$22.52	HK$225.20
	HK$18.08	HK$1,808.00
完整捲（訂購多個1000）
	HK$14.71	HK$14,710.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	15.8 A
Rds On - 漏-源電阻:	230 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	43 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	DTMOSIV
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
配置:	Single
下降時間:	5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	40 ns
系列:	TK16G60W
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	100 ns
標準開啟延遲時間:	75 ns
每件重量:	1.590 g

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所選屬性: 0

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規格書

TK16G60W5,RVQ 規格書 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.