GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

製造商：

說明：
IGBT 600V/30A DIS

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 82

庫存：
82 可立即送貨
工廠前置作業時間：
18 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$34.85 HK$34.85
HK$23.02 HK$230.20
HK$16.19 HK$1,619.00
HK$13.32 HK$6,660.00
HK$12.49 HK$12,490.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
品牌: Toshiba
集電極最大連續電流Ic : 30 A
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 100
子類別: IGBTs
每件重量: 6.756 g
找到產品:
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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