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TPS28226DR

Name: Texas Instruments TPS28226DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DR
Price: 11.43 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-TPS28226DR

製造商編號：

TPS28226DR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

規格書:

TPS28226DR 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 2,336

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HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$11.43	HK$11.43
	HK$9.37	HK$93.70
	HK$8.47	HK$211.75
	HK$7.57	HK$757.00
	HK$7.12	HK$1,780.00
	HK$6.84	HK$3,420.00
	HK$6.61	HK$6,610.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$6.10	HK$15,250.00
	HK$6.03	HK$45,225.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

TPS28226D

包裝:

Tube

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$13.32

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

TPS28226D

說明：

閘極驅動器 Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver

壽命週期:

壽命結束: 計劃停產且製造商將停止供貨。

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	MOSFET Gate Drivers
類型:	Half-Bridge
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOIC-8
驅動器數:	2 Driver
輸出數:	2 Output
輸出電流:	4 A
電源電壓 - 最小值:	6.8 V
電源電壓 - 最大值:	8 V
上升時間:	10 ns
下降時間:	5 ns
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	TPS28226
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
特徵:	Synchronous Rectification
最長斷開延遲時間:	14 ns
Pd - 功率消耗 :	1.25 W
產品類型:	Gate Drivers
原廠包裝數量:	2500
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
每件重量:	72.600 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.