CSD25501F3

Name: Texas Instruments CSD25501F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3
Price: 3.12 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-CSD25501F3

製造商編號：

CSD25501F3

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T

規格書:

CSD25501F3 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$3.12	HK$3.12
	HK$1.92	HK$19.20
	HK$1.16	HK$116.00
	HK$0.904	HK$452.00
	HK$0.789	HK$789.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$0.699	HK$2,097.00
	HK$0.60	HK$3,600.00
	HK$0.493	HK$4,437.00
	HK$0.485	HK$11,640.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD25501F3T

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$11.51

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD25501F3T

說明：

MOSFET #NAME?

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PICOSTAR-3
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	20 V
Id - C連續漏極電流:	3.6 A
Rds On - 漏-源電阻:	260 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.05 V
Qg - 閘極充電:	1.02 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	500 mW
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	945 ns
互導 - 最小值:	3.4 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	428 ns
系列:	CSD25501F3
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	1154 ns
標準開啟延遲時間:	474 ns
每件重量:	0.300 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD25501F3 規格書

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.